Samsung revela su ambici贸n en memorias: GDDR6 de 36 Gbps y V-NAND de 1.000 capas.
Samsung Electronics cierra la semana con una serie de anuncios muy interesantes para el *mercado de las memorias*. El gigante surcoreano, en su evento Tech Day 2022, ha brindado algunos detalles de sus planes para el desarrollo de soluciones de pr贸xima generaci贸n.
Empezamos por el mundo de la DRAM. Samsung dice que sus chips en un proceso de 1b (10 nm) todav铆a est谩n en desarrollo. No obstante, hay una importante evoluci贸n. Esto se traduce en que la producci贸n en masa podr铆a comenzar en alg煤n momento de 2023.
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El gigante surcoreano tambi茅n est谩 enfocado en ir al siguiente nivel de fabricaci贸n, alcanzar *menos de 10 nm* en los pr贸ximos a帽os. Se trata de un desaf铆o tecnol贸gico que, seg煤n explica, est谩 requiriendo emplear nuevos patrones, materiales y arquitecturas bajo la tecnolog铆a “High-K”.GDDR7 y V-NAND de 1.000 capas
Samsung tambi茅n ha mencionado cu谩les son las pr贸ximas soluciones DRAM que llegar谩n al mercado. Tenemos* DDR5 de 32 GB y LPDDR5X de 8,5 Gbps *que estar谩n a los futuros ordenadores, centros de datos, dispositivos m贸viles y consolas de videojuegos.
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Adem谩s de anunciar las mencionadas novedades relacionadas a la memoria DRAM convencional, Samsung se帽al贸 que es importante trabajar en soluciones DRAM a medida, como HBM-PIM, AXDIMM y CX. El objetivo de esto ser谩 al “explosivo crecimiento” del sector.
Una de las novedades m谩s interesantes del Tech Day 2022 ha sido un vistazo a las especificaciones de la memoria de Samsung para las gr谩ficas de pr贸xima generaci贸n. Se trata de las* DRAM GDDR7*, una gran promesa para las consolas de videojuegos y gr谩ficas futuras.
El fabricante dice GDDR7 ofrecer谩 *velocidades de hasta 36 Gbps*, un aumento interesante si tenemos en cuenta los 24 Gbps que alcanza GDDR6. Esta caracter铆stica podr铆a garantizar un importante salto de rendimiento para las sucesoras de las RTX 4090, pero tambi茅n un salto en su precio.
Por 煤ltimo, pero no menos importante, mencionamos que Samsung sigue trabajando en mejorar su tecnolog铆a de almacenamiento. Los chips V-NAND de octava generaci贸n presentan una mejora en densidad de bits del 42% en relaci贸n a la generaci贸n anterior.
Los nuevos chips *V-NAND con 1 TB* de capacidad llegar谩n al mercado a finales de este a帽o, pero eso no es todo. Tambi茅n est谩 en desarrollo V-NAND de novena generaci贸n, cuya producci贸n en masa comenzar谩 en 2024, por lo que tendremos que esperar un poco para verla llegar.
El fabricante dice tambi茅n est谩 trabajando para conseguir una gran cantidad de almacenamiento en poco espacio, as铆 como mejorar la velocidad y la eficiencia de sus futuras soluciones. Siguiendo ese camino, en *2030 podr铆a apilar m谩s de 1.000 capas en sus memorias V-NAND*.
*Im谩genes: Samsung*
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